第572章 公布 28nm光刻

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四月下旬，深蓝半导体忽然在官网发布公告，瞬间在国内半导体行业掀起滔天巨浪。

深蓝半导体的公告简洁有力，开篇直指核心：“历经多年技术攻关，我司28纳米光刻设备已完成全部研发流程，核心参数达到国际先进水平，良率稳定在95%以上，可满足中高端芯片的规模化生产需求。”

公告明确了定价与量产计划：“28纳米光刻设备单台定价较45纳米型号高出40%，量产将于第四季度正式启动，优先保障国内晶圆厂订单供应。”

最后，公告以强硬姿态收尾：“深蓝半导体将持续推进技术迭代，打破海外垄断，为国产芯片产业链自主可控提供核心支撑。”

消息一出，资本市场率先给出反应。与深蓝半导体有关联的概念股集体暴涨，恒川机械等供应链企业股价直接涨停，市场用资金投票，彰显了对国产高端光刻机的信心。

国内晶圆厂反应最是激烈，中鑫国际等头部企业第一时间发来咨询，甚至有三家厂商直接提交了意向订单，希望能抢占首批量产设备的供应名额。

“终于不用再看海外厂商的脸色了！28纳米光刻机自主突破，国内芯片制造的瓶颈终于要被打破了！”某晶圆厂技术总监在行业论坛上激动留言，道出了众多从业者的心声。

鹰酱《电子工程时报》紧急发文《龙国突破28纳米光刻技术，全球半导体格局将重构》，文中直言“深蓝半导体的进展，让海外垄断厂商的技术壁垒形同虚设”。

阿斯麦亚太区负责人在内部会议上紧急预警：“深蓝半导体的迭代速度远超预期，28纳米设备的性价比优势明显，我们必须加快降价与技术输出节奏，否则将失去龙国市场的主导权。”

台机电北美区代表更是忧心忡忡：“龙国本土晶圆厂获得自主光刻设备后，必然会加速产能扩张，我们在龙国的订单份额可能会进一步被挤压。”

国内的论坛与微博上，部分网友提出质疑，说国外已经开始出现20纳米光刻机，深蓝半导体虽然做出了突破，但技术依旧落后于国外。

很快，有业内人士发文科普。深蓝半导体生产的光刻设备与外国光刻机最大的不同就是光源。

国外高端光刻机的光源是193纳米浸没式深紫外光源，而深蓝半导体光刻设备用的光源是极紫外光源，波长可以控制在13到15纳米之间，两者差距极大！

最简单的判断，就是国外生产的28纳米光刻机，需要两次曝光才能完成一张晶圆的生产，而深蓝半导体的光刻设备只需要一次。

更为重要的一点，是深蓝半导体的28纳米光刻设备，可以利用多重曝光技术，轻松生产20纳米芯片，但国外的同等级光刻机，想要做到这一点，难度却非常大。

业内人士的科普如同拨云见日，瞬间扭转了网络舆论。

“原来光源差距这么大！一次曝光vs两次曝光，效率直接翻倍，这哪里是落后，分明是领先！”

“13-15纳米极紫外光源，这技术放在全球都是顶尖水平，难怪能轻松生产28纳米芯片！”

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